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半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写?

来源:学生作业帮 编辑:搜搜考试网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/15 07:37:12
半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写?
半导体二极管的文字符号VD中V是哪个英文单词的缩写?
二极管的主要参数
半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等.几个主要的参数介绍如下:
1、最大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流.因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏.例如2APl最大整流电流为16mA.
2、反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值.击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏.一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行.例如2APl最高反向工作电压规定为2OV,而反向击穿电压实际上大于40V.
3、反向电流IR:指管子末击穿时的反向电流,其值愈小,则管子的单向导电性愈好.由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响.
4、正向压降VD:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降.小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.0.8V;锗二极管约0.0.3V.
5、动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数.显然,rd与工作电流的大小有关,即:rd=△VD/△ID.
6、极间电容CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响.二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同.
二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数.使用时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则将容易损坏管子.