求均匀带电半圆环电场强度-搜答案-搜搜考试网

高斯定理做外面是pd/2ε0里面距离中心层x位置差场强px/2ε0

球内场强为0,电势相等为球壳处电势球外的电场和电势分布和把球上电荷看成集中在圆心的点电荷相同

当没有挖去小块的面积S时,球心处的电场强度为0（这一点可以用微元法证明）,现挖去小块的面积S（可视为点电荷）,挖去的电荷量为QS/（4πR²）,在球心处产生的电场强度为kQS/(4πR^4)

取半径为r的球面（r＜R）为高斯面,由高斯定理E*4πr^2=Q*r^3/R^3/ε0所以E=Qr/4πε0R^3当r》R就是点电荷的电场强度E=Q/4πε0r^2电势=Edr从r到无穷远的积分,球外

半径为R的均匀带电球壳,电量为Q,球面内电场强度大小为0,球心处电势为kQ/R

/>由高斯定理可求得球体内的电场强度 E=ρr/3ε (r<R) &

用微积分试试

这个没有办法用高斯定理做,假设用高斯,首先要做个闭合的面,这个面只能是个球面（别的面就更复杂了）,而这个球面上的场强肯定是大小不均的,你又不能用电量除以面积积分得场强.要求解的话,要积分,把半球面细分

把半球面看作许多圆环,积分即可没有必要在这问这些问题,把教材静电场例题及课后题做会就行了前提是会点微积分知识

在半圆上取线元,dl=rdθ其线元带点量为dq=λdl=q/(πr)*rdθ所以dE=dq/4πε0r^2因为各个电荷元在0点产生的dE方向不同,所以把dE分解其中dEy=0,dEx=dEsinθ所以

将半圆环无限微元,每一微元电荷量为Q/n,每一微元到环心距离为R由场强公式：E＝k（q/（R×R））×cosθθ为该微元与环心连线和垂直直径方向的连线,之后对每一个微元的场强求和既可,需要用到积分公式

0把圆环上关于环心对称的Q相互抵消（它们产生的电场大小相等方向向反）等于不存在电场故环心处E=0

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

不是零,用微积分来求解.先建立x轴,然后任取一段微元dx,然后利用电场强度公式,再利用微积分求解.

半径为R的均匀带电球,其外部电场可视为位于球心的点电荷的电场,类比于静电平衡时,均匀带电的金属球,可知：球外部空间：E=kQ/r^2,φ=kQ/r（r≥R）球内部空间：E=0,φ=kQ/R

求连续分布电荷产生的电场的一般方法,可将电荷分布区域内每个电荷元的贡献积分（叠加）.体电荷密度ρ是坐标的函数,由于微分电荷元性质很像点电荷,因此微分体积元dv'中的电荷ρdv'对场点P的电场强度贡献为

本结论可运用高斯定理解.高斯定理：通过某一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内所含电荷量的4π(圆周率)K倍.即：φ＝4πkQ其中ES=φ（E为场强,S为正对面积）取无限大平板上一小面积s则有：E=4πk

对称性.等距离处上下两个表面对通量有贡献,2ES包含的电荷量σS因此2ES=σS/ε匀强电场,与距离无关.

如果电荷密度为p则E=p/2e0,其中e0为介电常数,与距离无关这个要用高斯定律或者微积分推导