有一半径为r,均匀带电为q的表面,求它内部外部任意点的电场强度和电势

答：均匀带电球面球外空间电场等效于点电荷在球心处产生的电场.取无限远为零势面,则φ=kQ/r,则r=R处电势为φ=kQ/R.若规定球面上电势值为零,由于球面与无限远的电势差不变,因此φ=-kQ/R,Q

如果就做这道题来说的话,图中的解法应该是做等效处理了,由于圆环的对称性,在电势上相当于带Q的点电荷在距离为R上的电势,图中的解法应该是解等效后的这样一个简单模型,楼主说的电势叠加是可以的.

球内场强为0,电势相等为球壳处电势球外的电场和电势分布和把球上电荷看成集中在圆心的点电荷相同

由高斯定理可以求得薄金属球壳外的电场强度∮Dds=∮εεoEds=εεoE∮ds=q,闭合面为以金属球心为球心的球面,【有些书里相对介质常数用εr来表示,这里用ε表示,所以εεo是介质的介电常数】E=

高斯定理知道吧,你在那两个带电球面之间任意取一个同心高斯球面,它包围的电荷只有q,这样由高斯定理即可知,那两个带电球面之间的电场只由q决定,而与Q无关,所以,两球面的电势差与Q无关.也可由积分运算证明

从理论计算上来看,结合高斯定理,推导出的计算公式是：如图.（E.为真空电容率）（q其实就是Q)推导过程需要用到定积分理论.如果楼主还有问题的话,随时欢迎.希望对楼主有用~~~~~再问：可以写的在详细点

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

在半圆上取线元,dl=rdθ其线元带点量为dq=λdl=q/(πr)*rdθ所以dE=dq/4πε0r^2因为各个电荷元在0点产生的dE方向不同,所以把dE分解其中dEy=0,dEx=dEsinθ所以

外面是均匀球壳便可以无视,所以内部就无视外侧的球壳,将内侧的球视为在圆心的点.在球外视为球心的点即可

整个球面以及内部空间是等势体,电势与一带电量为q的点电荷在距离为r的点产生的电势相等.U=q/（4πεr）具体来说,用积分做,电场强度E=q/（4πεr^2）,球表面的电势为E从r到无穷远点对r的积分

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

e=Qr/4π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)v=3Q/8π爱普戏弄零R－Q（r的平方）/8π爱普戏弄零（R的三次方）（rR)

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

表面内电场E=0表面外视为点电荷场强（高斯定理）希望采纳

求连续分布电荷产生的电场的一般方法,可将电荷分布区域内每个电荷元的贡献积分（叠加）.体电荷密度ρ是坐标的函数,由于微分电荷元性质很像点电荷,因此微分体积元dv'中的电荷ρdv'对场点P的电场强度贡献为

根据高斯定理,可得出电场分布E=q/4πεr²（rR)U=∫(q/4πεr²)dr+∫[﹙q+Q)/4πεr²]dr(两个积分区间分别为r—R和R—∞）最后即可求出U=1

R如果你还没有被挖,在球体的中心的电场强度为0（即均衡）.被挖出来,它可能被设想与孔对称约球体中心到另一侧也挖一个洞,半径为r,然后挖两个洞之后,在其他部位的电场强度球体中心的平衡.所以这个问题本质上

等效替代：把这个挖孔的球壳等效替代为：带有+Q电荷的完整球壳,和一个带有同样“密度”的负电荷的半径为r(

2(1):球壳内场强为零.球壳外场强E=/4πεR^2.（2）球壳内电势为零.球壳外电势E=/4πεR.3（1）：B=(（2I/0.5d)-(I/0.5d)）μ/2π=μI/πd.（2）：x=2d/3

1、（1）球壳内电场为零,外部电场为：E=kQ/(r*r),r为该点到球心的距离.（2）球壳内电势为U=kQ/R.球壳外电势为U=kQ/r.（3）根据（1）（2）的结果绘制.2、无限长导线外一点的磁场