搜搜考试网硅片RCA清洗工艺中,氟化氢HF的氢钝化机理
来源：学生作业帮 编辑：搜搜考试网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/05/15 01:01:17
硅片RCA清洗工艺中,氟化氢HF的氢钝化机理
在对硅表面清洗的时候，最后有一步骤，把硅片放到4%浓度的HF溶液中浸泡五分钟，来进行氢钝化处理，再用去离子水冲洗后氮气吹干，
这个氢钝化的作用和机理是什么呢？
在对硅表面清洗的时候，最后有一步骤，把硅片放到4%浓度的HF溶液中浸泡五分钟，来进行氢钝化处理，再用去离子水冲洗后氮气吹干，
这个氢钝化的作用和机理是什么呢？
线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5～1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到6～10um/min 。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层：