u1=10sinwt,e=5v,画出泼形

这个要用规范一点的话要用相量来计算,但手机打这些相量符号太烦,我们就算的简单点吧.首先三原件串联,那么流过他们的电流大小相对方向也相同,就以电流为参考量,电感上的电压超前电流90°,电容上的电压滞后电

用叠加定理,把电压源分解为10V的直流电源和20根号2sinwt的交流电源当10v的直流电源单独作用时,电路相当于开路,电容两端的电压等于电源电压,uc1=10v.当交流电源单独作用时,u=20

设r2为x,U1为y(y+50)^2/(x+10)=1500w10/x=y/50x=5y=100

答案A再问：。。。您倒是说说原因呐再答：U1=10V,则1K电阻上端电压为9.3V高于U2=5V,D2反偏，故截止。

Ui正弦的我就不画了吧.Uo是这个 不好意思数字不好写最高的是3.7,最低的是-3.7.简单分析下.D1阴极是3V,所以阳极要大于3V才导通.D2阳极-3V阴极要小于-3V才导通.再用到钳位

电压源?电路的总功率w=（U1+U2）X（U1+U2）/（3+5）=28.125（瓦）电流I=15/8=1.875（安）电源U1输出功率=1.875X10=18.75（瓦）电源U2输出功率=1.875

U1:U2=2:3时,6/(2＋3)＝1.2(V)U1＝1.2×2＝2.4(V)U2＝1.2×3＝3.6(V)

硅材料,U1——c,U2——e,U3——b再问：求过程再答：由U2与U3之间的压差为0.7V，在三极管中，两种材料的分别是硅管和锗管，硅管一般是在b-e之间压差为0.7V，锗管为0.2，从你这个电压分

反例:取V为2维向量空间,W为向量(1,0)生成的子空间,U1为向量(0,1)生成的子空间,而U2为向量(1,1)生成的子空间.易验证U1∩W={0},U2∩W={0},再由维数讨论可得V=U1⊕W,

晶体管导通,不论是PNP还是NPN,电位差最小的两个电极是基极B和发射极E,电位在中间的是基极B.如果是差0.7V左右,是硅管,差0.3V左右,是锗管.很明显,U1和U2一定是B和E,那么剩下的就是U

不考虑,一般来说题目里都会有说的.没说的话就记住像什么电子,原子核都不考虑重力,而像电子球、油滴这类就要考虑重力了.再问：但是题目里明明需要用到a=f/m呢,这就涉及到m了再答：我记得只要把过程中所得

ui-3<-0.6 V时,二极管导通ui<2.4 V时,二极管导通,uo2被钳位在2.4Vui>2.4V时,二极管截止,uo2波形与输入波形相同.因此,输出波形是

首先根据u2与u3的关系,可知是锗管.假设是npn型,则b极为-6v,e极为-6.2v,c极为-9V.而实际上npn型三极管c极电压应>e极.故此管非npn型.结论此管为pnp型,b极为-6.2v,e

设电热器电阻为R,那么接100V的直流电时其功率为P=U*U/R,热量：Q=P*t=(U*U*t)/R=10000t/R；当改接U=100sinwt的交流电时,交流电的有效值V=100/√2,假设产生

再问：你好，首先感谢你解答。我还有几个问题，第一个图为什么导通时U0=Ui,而第二个图截至时U0=Ui呢？我就是不知道U0测得是哪两点电位，怎么看呢？再答：1、第一个图为什么导通时U0=Ui,而第二个

U1=14V,说明环路电流是从U3正极流出的,所以U3=U1+3Ω×（U1-10V）/2Ω=20V

H(s)=(s+1)/(s+2)=1-1/(s+2),输入u(t)和响应yf(t)都是因果信号,系统是因果的,求反变换得到h(t)=delta(t)-u(t)e^-2t；系统的微分

当ab的运动方向与磁力线平行时,感应电动势e=0当ab的运动方向与磁力线垂直时：感应电动势最大,即e=Em=2BLv下面来讨论sinwt的来源：例如在图示位置处,ab垂直于磁力线的速度分量为：v'=v

如图

(1）I1=20/10=2A(2）I2=2A(3）U2=2*15=30V(4）U=20+30=50V5）U1/U=20/50=0.42,R15Ω,R210Ω两点组并联在15V电源上求：1）通过R1的电