搜搜考试网scr igbt p-mosfet
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/20 19:06:36
我做的驱动板用6W3000V隔离的DC-DC电源,驱动3600A1700V的IGBT都没问题.2W够不够你自己算.
IR~系列功率场效电晶体看看下面这个网址：
一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路,包括：开通回路、放电回路、加速回路、MOS管、第九电阻、第十一电阻；所述加速回路有第二电阻与第一电容串联组成,所述加速回路一端连接在PWM信号端,另一端与开通
它就起到一个开通和关断的作用,从而式开关电源的变压器得到交流型号.一般工作频率在几十KHz到上百KHz!主要参数为额定电流耐压和工作频率.
金属－氧化物场效应管.
我给你个样板的原理图你自己看看前段时间我也在做开关稳压电源专用的PWM芯片产生脉冲驱动MOSFET,最好买本书看看
TOSHIBA的2SK2968这款MOSFETVdss：900V、Id：10A、Pd：150W符合你的要求.
因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用.但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET
开关电源的原理就是将工频交流变成直流,再将直流变换成高频交流,通过开关变压器,反馈稳压等过程变成你所需要的电压的后,通过整流,滤波,再变换成直流的过程,而MOSFET在整个过程中通过其不断的开与关,使
从顶部到底部的封装类型的电路,源极-漏极击穿电压,导通电阻的源极和漏极,其漏极电流25摄氏度,100摄氏度,栅极电荷（典型值）的漏电流,栅-漏极电荷（典型值）,热敏电阻,功耗,后者三是无论是生产,无论
压降和电流决定其功率.大功率mosfet压降很小,主要看额定电流.额定电流越大,功率越大.
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面,N沟道的Vgs是正的,P沟道的Vgs是负的.只要Vgs达到了打开的门限值,漏级和源级就可以过电流了.
高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)它的热阻低,针对马达驱动器、负载开关及液晶显示器（lcd）背光反向照明器应用,它能够帮助设计师减少损耗,提高电路效率
电路图上的是三极管(或功率三极管)跟mos管符号不一样,电路跟一般H桥功能相约,应该是升压或逆变器类电路.电路图上的Ug应该是Ug2,Ug1和Ug4可以共接一个驱动信号A,Ug2和Ug3一样信号B,A
有啊怎么没有在元件库文件里有个PSPICE的文件夹里面有个PWRMOS库文件就是了
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P
td(on)+tr+td(off)+tf,然后乘以10,再取倒数就行了
极限参数ID@Tc=25C°Vgs@10V17Amosfet芯片case温度在25C°、栅极电压为10V时,芯片允许通过的最大连续漏极电流为17A如果芯片case温度上升到100C°,则漏极电流下降为
P沟道功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管PowerMOSFET功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管powerMOSFET能够控制超过1A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高
MOSFET的各个尺寸按一定比例缩小的同时保持MOSFET特性基本不变.这些尺寸包括器件长、宽、氧化层厚度、源漏结深等等.分constantvoltage和constantfield两种.