PN结多子扩散和少子漂移

漂移电流是电子沿电场反方向运动,空穴沿电场方向运动PN自建电场是N区指向P区,所以电子向N区漂移,空穴向P区漂移,与扩散方向相反你的问题可能出在是把PN结看作了平板电容器,虽然PN结具有势垒电容,可以

这个东西不是一两个字能说清的,推荐你把晶体管原理好好看看吧!

当然不会扩散大于漂移就会有了,首先漂移运动是怎么回事儿你应该知道吧.是空间电荷区存在电场而形成的,有电场就有电势差.无外加电压时扩散运动与漂移运动出于平衡状态.现在就需要引入一个概念就是扩散电势差（扩

这是因为在PN节交界面附近由于扩散到P区的自由电子和空穴复合,而扩散到N区的空穴和自由电子复合,所以在交界面附近多子浓度下降,因此在分界面附近就会形成一个空间电荷区,也就是耗尽层,从而形成内电场,而随

很明显答案错误再问：答案都不能信了还能信神马。

在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结.在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内

内电场增强漂移运动,内电场增强漂移运动,

扩散运动是分子的热运动的宏观表现形式,载流子的浓度差导致其向浓度低的地方扩散

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

是扩散电流与漂移电流的平衡吧,肯定有啊,PN结空间电荷区是耗尽区,没错,但不代表耗尽区里面就没有载流子（只是说载流子的浓度少了,总的电荷的代数和不为零,所以产生了净电荷,才叫空间电荷区,而载流子浓度相

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

1．PN结未加外部电压时,扩散电流(C)漂移电流.A．大于B．小于C．等于D．视情况而定2．集成运放的差模输入信号是差动放大电路两个输入信号的(B).A．和B．差C．比D.平均值3．工作点稳定电路输入

无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓

在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体

PN结的形成是一般相对半导体来说.金属貌似不行不过我认为这个问题也不能绝对,金属与半导体的差异也有一个过渡的过程,并不是绝对的.

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便

根据我的理解,漂移是指在电场作用下的运动,扩散是指在浓度差驱使下的运动.在PN结中,P区由于富含空穴,N区富含电子,电子向P区扩散,于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子,而N区因电子转移到P区变成空

漂移电流是电子沿电场反方向运动,空穴沿电场方向运动PN自建电场是N区指向P区,所以电子向N区漂移,空穴向P区漂移,与扩散方向相反你的问题可能出在是把PN结看作了平板电容器,虽然PN结具有势垒电容,可以

额

施加稳定的外加电压,pn结的状态也是稳定的,耗尽区宽度稳定在一个值,不会出现内部的空穴,电子随时间一直不断减少的情况,这是因为,pn结所连接的外部电路（电源）会源源不断补充载流子,这最终达到的是一个动