NPN基极与集电极正偏

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

没有等式只有关系：以NPN三极管为例,集电极电压高于基极电压,基极电压高于发射极电压.集电极电流等于基极电流的β倍（三极管电流放大倍数）,发射极电流等于基极电流加集电极电流.再问：我在书上看到直流通路

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→Rb→b→e→地；IC：VCC→Rc→c→e→地；IE=IB+

书上说的是正确的,这个问题的确困惑了很多人,让我们陷入误区的是IC的流向问题,需要指出的是三极管不是二极管,不可以用二极管的概念套用在三极管上,这是两种内部结构完全不同的器件,需要分开来理解.书中的确

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时（由0到正）,因为三极管的放大作用,

三极管导通要求：发射结正偏,集电结反偏基极b：用来调节偏置电压,即Q点.集电极c和发射级e：确实,根据电路的不同,电阻的作用也不同,可以用来：限流,输出等.建议：上网找一下三极管的基本应用电路,上面都

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

你确定你测的电流方向正确吗?根据集电极电流是基极电流的β倍,发射极电流是基极电流的(1+β)倍确定硅管导通电压为0.7V,锗管为0.3V,由所测电压相减所得,剩下那个就是集电极,根据NPN和PNP情况

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

(1)npn三极管基本结构二个PN结将基片分为三个区：发射区、基区和集电区,每区引出一个电极分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）；发射区与基区之间的PN结称为发射结,基区与集电区之间的PN结

三极管基极与集电极电阻的作用就是给三极管提供基极电流.还有就是起到负反馈作用.

第一个问题,是都流向E第二,电势肯定不同第三,不是,因为存在电势差,有等效电阻楼主可以参考电子电路基础再问：应该来说，Vbe差不多是0.7V（稳定工作导通时）那么假设e是接地的，那么B应该是0.7V的

是基极和发射极正偏,不过也不用0.7V,硅管0.5几,锗管大概0.2多久导通了,前提是集电极和发射极也是正偏.基极电流是流向发射极或者从发射极流出.

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是