NPN型晶体体三级管处于放大状态时,各级电位关系

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

您用的管子压降是0.7的,用锗管啊,压降只有0.2,这不就行了吗.或者用干簧管自己绕一个1-3V小线圈就行了,我的万用表里面1.5V升9V的延时断开电路就是用干簧管做的.工作电压只有1V电流只有13m

简单的说,就是小电流控制大电流

发射结正向电压即正向偏置,集点结反向电压即反向偏置

NPN型管集电极接负极,发射极接正极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为正.硅管约0.6v,锗管约0.2vPNP型管集电极接正极,发射极接负极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为负.硅管约0.6v

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

左边的基极电压1V,发射极通过二极管接3V,肯定发射极比基极的电压高,所以截至；右边的基极电流1.4mA,而集电极的电流只要达到I=U/R=5/3000=1.7mA就饱和了,因为,β=30,所以管子肯

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

NPN三极管,有两个PN结,一个是集电极到基极,另一个是基极到发射极.对于二极管来说,PN结的电流方向是从P流向N；对于三极管来说基极到发射极也是这样,而集电极到基极就会不同.电流从基极流向发射极后,

1、无论是NPN型,还是PNP型的三极管,不同的只是N、P两种材料排列方式不同,两者的功能是一样的,都具有电流放大的作用.2、因材料排列方式不同,PNP型三极管的电源供电方式与NPN型的正相反.PNP

理论上Au=βRc/[(1+β)Re+Rbe]实际上,当基极电流不太小（10uA左右）,发射极电阻Re不过小,三极管β值不过小（最好200左右）,分压偏置共射放大电路中,空载时电压放大倍数Au≈Rc/

.PNP,锗管UA为集电极电压,UB为基极电压,UC为发射极电压,此三极管为pnp形管；UB与UC相差0.2V--锗管;一般pnp三级管发射极接电源正极,集电极接电源负端,基极偏压对集电极也是负端,也

无论NPN还是PNP型三极管,它们放大倍数的定义是相同的：β=Ic:I

NPN输出,是用NPN的三极管做集电极开路输出,集电极经继电器线圈接+24V.PNP输出,是用PNP的三极管做集电极开路输出,集电极经继电器线圈接-24V.注：以上的24V,只是举例,具体数值按产品规

对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为