npn发射极箭头向外画

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

NPN从集电极上取信号时,相当于反向器,所以基极输入电压增大,而集电极输出电压减小.简单的说,基极输入电压为0时npn管截止,集电极电压等于电源电压,基极输入电压为1v以上时npn管饱和,集电极电压等

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

不考虑元件的质量,是没有电流的.

发射极加一个电阻是基本的放大器结构.如果电阻有并联一个电容,就是直流电流负反馈电阻,目的是稳定静态工作点,如某种原因（温度变化等）使集电极电流Icq增大,电阻Re上的电压也会增大,即发射极电位Ve上升

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

我来说吧,三极管要放大,有两个条件：发射结正偏,集电结反偏.对于NPN管来说,发射结是基极（P）指向发射极（N）,集电结是基极（P）指向集电极（N）.而且对于半导体来说,多子是携带电荷的主流,代表主要

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

看你npn的发射极和pnp的集电极接了什么嘛他们接了什么就是什么相当于把三极管拿掉不要去管什么高阻态再问：。。。。。，我需要高阻态，在截止状态下是否为高阻态喔~？再答：不是高阻态“高阻态输入下一级电路

1.选中线条-点右键-格式-线条在线条端点处就可以设置线端类型了（任意大小,任意形状）2.如果要中空箭头,在基本流程,箭头形状中就可找到.

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

你确定你测的电流方向正确吗?根据集电极电流是基极电流的β倍,发射极电流是基极电流的(1+β)倍确定硅管导通电压为0.7V,锗管为0.3V,由所测电压相减所得,剩下那个就是集电极,根据NPN和PNP情况

三极管符号中带箭头的是发射极,中间横线是基极,另一斜线是集电极.

三级管的画箭头所示的是极发射极,而箭头方向是表示电流方向的.而通过电流方向就知道是NPN,还是PNP极性了.

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

(1)npn三极管基本结构二个PN结将基片分为三个区：发射区、基区和集电区,每区引出一个电极分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）；发射区与基区之间的PN结称为发射结,基区与集电区之间的PN结

这要看是集电极输出还是发射极输出.输出脚的那个电阻较大.

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是