npn与pnp共发射级放大电路

首先先看A管,从这三个电压可以发现,都是正电压,所以该管是NPN的三极管.其中有两个电压差为0.2V,因为该三极管处于放大状态,所以Vbe=0,2V的只有锗管,所其中+3.2V电压的这个极就是B,+3

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

这要看具体需求,常用PNP三极管9012

如果是硅管换硅管前后级都是电容交联,先把电源正负极对调,本级一些电解电容也要极性对调.前后级藕合电容可通电后测量电容两端电压极性,与电容极性不附的,要把电容拆下调转极性.小容量的电解可用无极性电容代换

因PNP管与NPN管PN结所需电压极性相反,所以两种电路的正负及电解等有极性电元件也应以管型决定!N管集电极为正!P管集电极为负!--寂寞大山人

都对,不过前者比较好理解.所谓的通频带就是指当增益下降到中频增益的0.707时（精确的说是根号2分之一）,上下限频率之间的带宽.所谓的3dB是指以中频增益为1,下降3dB刚好也就是0.707.所以两者

1：Icq=βIb=β(vcc-Ibe)/Rb2:Rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie=Icq3:参照有关资料,就不画了4：Au=Uo/Ui=-βRo/Rbe前面有个负号哦比较小,注意Ri=Rb

1.vbe=ub-ue=-0.2V,uc>ue,因此判断为截止状态的npn管；2.vbe=ub-ue=0.74V,vce=uc-ue=0.3V0.7V,再看ce结是否正偏,如果vce大于vbe则肯定处

如果是单级交流耦合的电路,就把本级电路上下翻转,然后把npn换成pnp即可；其他的计算等,同npn一样的；

根据三极管的外形来判断1.一般说来,PNP型三极管的外壳比NPN型高得多.另外,NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们区分开来.2.用万用电表的欧姆挡来判断根据等效电路的不同,就

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

VT2应该是画错了,还是NPN型的三极管,这是个小信号二级放大电路；再问：那怎么根据这几个电阻求这个放大倍数呢？这个小心号可以是红外二极管产生的信号么再答：1）计算放大倍数，这个比较蛋疼，一般取三极管

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电

无论是PNP或是NPN管子,只要是共发射极电路,其输出电压总是与输入电压反相位的.1、共发射极性电路,输入电压是加在E、B两极之间输出电压是在E、C两极之间.E极电位与地相同.2、当输入信号的uBE加

达林顿接法,沃尔曼接法,推挽图腾接法.

怎么说呢,你可以这样来理解了,如果是传感器,那,NPN,常开,单传感器不作用时,输出低电平,作用时,输出高电平.NPN,常闭,单传感器不作用时,输出高电平,作用时,输出低电平.PNP,常开,单传感器不