mos线性区控制电流

仙童2N7000BU/2N7000TAFDV303N（耐压25V）

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,

要解释你的问题,首先要了解MOS管的工作原理.MOS管与一般晶体三极管是不同的.它是电压控制元件,它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻.在栅极施加不同的电压,源-漏极之间就会有电阻的变化,这就是MO

这个电路很简单：IC4是输出电压取样与AR1比较放大器,在电源中起输出稳压作用；IC5是输出电流取样与2.5V（AR1)经过R52R54分压后的电压比较放大器,在电源中起输出电流大小控制作用.

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

功率MOS管通常内部有一个反接的二极管,就是说源极S电流可以向漏极D流.我怎么在IR公司的官网上都找不到IRF907Z!

栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.

占空比不变,频率降低,对于PWM波来说,输出的有效值并没有降低.MOS是电压控制器件,既然栅极的电压和电路其他器件没有变化,导通电流有什么理由变化呢?

5V的MOS管就很少加上又是这种超低电流的目前是没有哦、600ma最低也是20V的

电阻很难做进芯片内,体积也大,恒流源的作用和电阻一样,但可以用半导体做,能做到芯片内.

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

部分电路欧姆定律公式：I=U/R其中：I、U、R——三个量是属于同一部分电路中同一时刻的电流强度、电压和电阻.由欧姆定律所推公式:并联电路：串联电路I总=I1+I2I总=I1=I2U总=U1=U2U总

不知道你是想解决实际问题还是想得到一种计算方法.如果你要解决实际问题那就在把简单问题复杂化.你没有给出这两个电源的额定功率,如果有的话就是额定功率相加就是总功耗,在不超过1000W的时候是不需要考虑那

没有上下文不好解析,开关电流说不好,MOS管的峰值电流应该是管子的参数,就是能承受的最大电流,最大漏极电流和变压器一次测峰值电流是同一个东西,就是在电路工作的时候初级线圈的最大电流.

兄弟!以下有几款Mos管.都符合你的要求.随便抓一个就OK.至于接法嘛.很简单.D接输入.S接输出.G接IC脚.值得注意的是.G脚一定要接一个电阻到S.大概是100K吧.用于静噪.防止勿开启.封装一般

这应该不是控制电流大小的问题,应该是你的负载比较大,应设法减小负载,如负载方便直接减小,可考虑降低输出电压.,

MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但