MOS管驱动用英文简称

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

过多大电流.irf7314不错

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

是一上电就炸还是老化的时候炸?这个要知道了才可以分析,我是专业设计生产LED驱动电源的厂家,有什么问题可以随时交流.再问：谢谢.是在老化时炸,,冲的时候把限流电阻炸了再答：冲的时候把限流电阻炸了？不太

一般是由IC决定的,这种小功率的产品大部分做的是定频,有的可以外部设定,但主要还是驱动决定.当然自激式的电路除外,因为它不用IC的.20W以内的采用50k-100k都是可以的了.先确定用什么芯片,然后

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因

这个没有定数,RG一般在10-100欧之间,RT在2.7K---10K之间,和输出功率以及MOS有关.因为每种型号的MOS的结电容都不一样,虽然MOS是电压驱动元件,但是还是需要电流的,所以高结电容容

1.Q5为NMOS管,R12为限流电阻（或是偏置电阻）,源漏之间的二极管为保护二极管.2.源极接地,电压为0,当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时,就可在源漏之间形成

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8,过驱动电压为Vgs减Vth

没有变化的,或者说变化不大.G-S并电阻是为了保护MOS,从线路原理上说是不用加的,但实际的经验是要加的,一般是10K-56K,10K用得最多

主要是用来放大的.用电场控制电流,省电.

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电

驱动电阻主要是让MOS导通稍微变慢,以免过驱动,这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题,并联一个电阻是加速截止,降低MOS的关断损耗.

CMOS电路组成是以PMOS管作为驱动管,以NMOS管作为负载管.CMOS电路指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MO

管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻看看.