MOS管道通的条件

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区）,恒流区（对应三极管的放大区）,夹断区（对应三极管的截止区）,还有一个击穿区（对应三极管的击穿区,属于电力电子内容）.2、MOS管的导通是一个过程

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

MOS管的栅极（gate）存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5V,越大的MOS管电容也就越大,这个现象也就

若阀门逐渐减小,则总管流量变小,管1流量也变小,而管2的流量变大.因为随着管道1上的阀门度减小,管1的摩阻及整个管道系统（指由管1、管2和总管组成的系统）的摩阻变大,总流量变小,管1流量也变小.由于总

里海沿岸石油资源丰富,有稳定的石油来源；我国石油需求量日益增大；管道沿线地势平坦,工程施工容易

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET（场效应管）构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,所以输入

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

1）管道必须是电气连续的,对于焊接管道,这不是问题.如果管道上有承插接口,法兰连接的阀门,要用跨接线跨接.2）被保护的管道段必须和其他埋地管道、电缆、接地极绝缘,可采用绝缘接头或绝缘法兰；套管穿越时,

天然与发展需求这个难答.

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

也不能说不用在意其功率啊,开关管导通或截止的时候有一个过程,这个过程的瞬时功率是比较大的,所以选开关管功率要有比较大的余量.再问：比如半桥开关电源，功率500w，那么选用大概多大功率的开关管？再答：半

这个太专业了,计算过程复杂,我们凭借经验直接考虑30%的水锤压力,计算压力钢管负荷.压力钢管设计规范中有详细计算公式,武水出版的《水力计算手册》也有资料,请下载参考用.

1、负载电流IL——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、MOS管最大允许工作温