真空中有带电体密度为P半经为R的均匀带电

取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/(3

由高斯定理可等效为球心点电荷,因此场强为sigma/4epsilon0,电势为r*sigma/2epsilon0再问：是这个答案再答：没错就是这个

两题均运用高斯定理,那个积分式打不出来就跳过直接下一步了,设圆柱半径R01．在带电圆柱内取半径为r,高度为l的圆筒形高斯面,有E·2πrl=ρπr²l/ε,得E=ρr/(2ε),rR0

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

分情况考虑,当点r（PQ距离）＞R时,根据高斯定理（电通量φ=E*s=4πkQ）可知,P点所在以球壳球心为球心的球上各处电场相等,带电球壳对P点产生的电场等于球壳球心对其产生的电场,再由高斯定理推出E

场强等于电场力除以带电量电场力=F=kQq/(r)^2场强=电场力/q所以选B,D

带电球体接触电荷量平分,两小球带同种电荷所以排斥.根据库仑定律F=k.Q.q/r^2可知接触后距离不变电荷量乘积改变（后是前的8分之1）所以是0.125

根据高斯定理,可得出电场分布E=q/4πεr²（rR)U=∫(q/4πεr²)dr+∫[﹙q+Q)/4πεr²]dr(两个积分区间分别为r—R和R—∞）最后即可求出U=1

做个图,在P点一个点电荷的场强大小E=kQ/r^2；两个E成60度夹角,合场强E'=2E*cos30=sqrt(3)*kQ/r^2;方向垂直于ab,向外.

一均匀带电球体,半径为R,体电荷密度为p,今在球内挖去一半径为r（r<R）的球体,求证由此形成的空腔内的电场死均匀的,并求其值.10

若C先与A接触再与B接触，A的带电量为q2，B的带电量为12q−2q2＝−34q根据库仑定律得：  C与A、B接触前：F=2kq2r2  C与A、B接触后：F1

F=Kq*2q/r^2=2kq^2/r^2当C跟A、B小球各接触一次后拿开分为两种情况：1、C先和A接触,A电荷变为1/2q,C也带1/2q,C再和B接触,B,C都变为（1/2q+2q)/2=5/4q

需分两种情况讨论：一、C先和A再和B接触：接触后A、B的带电量分别为0.5q和1.25q（做两次平分易得）,加之距离变为原先的2倍,所以力变为原来的5/64（库仑定理）,即5F/64.二、先和B再和A

真空中有两个大小相等的带电球体，带电量分别为Q和-8Q，相距为r（r远大于球半径）时，它们之间的静电引力为：F=kQ(8Q)r2…①两个带电体接触后再分开，电荷先中和在均分，故均为-72Q，为排斥力，

由高斯定理可证,空腔内电场为零.再问：大物课你肯定没认真听讲..这问题我弄懂了没事了再答：你说说看再问：恩也有我没表达清楚的错误我是指的在大球里面随便挖一个小球，所以这个物理模型不具有很强的对称性，于

用C跟A、B两小球反复接触后移开，则A的带电量与 B的带电量相等，均为q+8q3＝3q根据库仑定律得：  C与A、B接触前：F=k8q2r2 C与A、B接触后：