电容降压电路中电阻值是多少

先不考虑下面的电阻假设有电流I从A流入,AB产生电压V外围：I1*R+（I1-I2）*R+I1*R=V对角：I2*2R+I1*R=V又有：I=I1+I2整理：I1*3R-I2*R=V ,&n

t=RC,数据不够计算：要给放电时间或者电压变化差

用电阻降压：由于电流流过电阻时,要产生有功功率.压降越大,耗功越多.用电容降压：由于电容不产生有功功率,所以电容降压的经济性优于电阻降压.注意：只有交流电路中才能使用电容降压.

1.当LED数量为9只,23只,35只时电阻是否可以相同,C1根据LED数量是否需要变化,应该如何变化?可以,LED数量变化时C1也要变的,C1可以算出来的,首先你确定输出电压,N代表灯珠数,{220

使用电容器实际上也是降压和限流的作用了,可以直接计算出需要的的电容器的大小,不需要另外加接电阻的.你将附图中的被充电的电池换成串联的LED灯,就是你需要的电路了.需要20mA的电流,则电容量大约0.3

电容降压是靠电容容抗来限制电流再通过二极管整流、稳压后得到所需的电压.你说的电阻应该是并联在电容上的,他的作用是拔下插头后泄放电容内的存电以防止电击伤人.电容降压电路优点：电路简单、元件少、体积小、重

大约60mA再问：我想要20MA的电流,可以将400V105J和400V473J两个电容串联吗再答：不建议这样使用，串联电容，尽量使用同容量、同电压等级的。再说这两个串联，473的也太小了，降不了多少

电容降压电路中,电容上并联一个电阻的目的,是为了在断电后,及时泄放电容器上储存的电荷,避免它使人触电.

在断电后把电容的剩余电量放掉,不然人摸到会被电击的

那是电容在充放电,所以一直在变化,你用的是电阻档吧?要想测量电容的容值,用电容档如果要想算容抗值Xc=1/（2π*f*c）C就是测量的容值f就是电源频率

R的阻抗为实数,C的阻抗为1/（jwC）,将电路的总阻抗算出来后,用阻抗的虚部与实部只比值求反正切就得到了相位变化量.这样说应该清楚了吧把相位求出后,-180°为无相移.在-90°到-180°间为超前

各电阻值是根据晶体管的静态偏置设计计算出来的.通常需要考虑晶体管的动态工作范围及晶体管耗散功率等因素.在电路中晶体管的消耗功率约为集电极电流×集电极发射极间的电压.晶体管必须工作在远低于允许的耗散功率

点亮此类小氖灯的电阻都差不多的,找个好的测量下就知道了；一般的,氖灯坏了,用万用表也测不出来的,只能用替换法对比测量.

理论上在这种电容降压电路中电容是不会发热的,但在实际工程中这是常有的现象,原因不外乎是两个：1、电容本身质量欠佳,有点漏电（但我想这不是主要原因,因为漏电严重,这个电容很快就会损坏了）.2、电容的品种

总电阻值R1,并联电路中,总电阻的倒数等于各部分电阻倒数之和,总电阻小于各支路的电阻1/R=1/R1+1/R2+1/R3+..

多电容串联降压,并电阻是为了平衡电容的电压.电容因有轻微漏电现象,因漏电大小不等会造成各电容的分压不完全相等.电阻取值以小于电容漏电电阻的十倍左右,一般常用500K至1兆欧.电容取值通过电压/容抗=电

楼上的回答也太过于轻浮了.找这个IC的典型应用资料,然后再看看各个引脚的阻容参数,这样是比较稳妥的.初看第一映像这个是个开关电源原理图.干嘛要用这个IC呢,用比较常用的IC不是多好呀.比如价格低廉性能

XC=1/ωCω=2πfC需知道用电电压再问：用电电压为DC5V再答：用阻容降压，本身就不是很安全，需要用电器，不能有人可触及的金属部分。角频率=37760mA,120V需电抗2K需电容1.33微法，

电容容量应满足RC=(3~5)T/2的条件,电容耐压值应大于1.1倍的U再乘以根号2,(U输入电压,R滤波电路总电阻)

电路电流：I＝U/R＝87/25＝3.48(A)电路总阻抗：Z＝U/I＝220/3.48≈63.2(Ω)降压电容器的容抗：Xc＝√(Z平方－R平方)＝√(63.2×63.2－25×25)＝√3369.