由电位移求电荷密度
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/06 06:49:36
带电匀速旋转圆线圈可以等效为圆线圈中通有恒定电流,大小为i=λ*2piR/(2pi/w)=Rλw,或者用i=dq/dt=(wdt*R*λ)/dt=Rλw;然后用一个定律:毕奥——萨伐尔定律,求出带电圆
线密度!是面密度吗?如果是,以下是解答.本题需要运用电场的高斯定理.证明很繁琐,这里不便给出.所以只说明一下结论:通过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的所有电荷量的代数和与电常数之比.公式为:
人们从化学实践出发,对分子的电子结构一直非常关注.多年来,人们总是想探讨分子中原子的性质,特别是分子中原子的净电荷,提出了各种计算方法,并进行了不断地改进,然而至今都还不能令人满意.特别是原子净电荷划
使用高斯定理,取一圆柱面,使之轴线与直细棒重合,按高斯定理有电通量Ψ=4πkq=q/ε0,Ψ=∮E·dS=E·2πrh,r为圆柱的底面半径,h为圆柱的高.又因为q=λh,所以E=λ/2πrε0=2kλ
你去看看就是电介质在电场中的场强矢量与相对电容率的乘积再乘以一个真空电容率,引入这个矢量是为了计算方便,没有实际意义
电位移矢量定义为D=ε0E+P.1,这是一个数学量,也就是说,你不可能在所有的物理现象中都找到D的物理含义.引入这个矢量是为了计算方便,是一种代换,D是E和P的“某种加和”.2,电位移矢量的提出是为了
面密度不趋于无穷大的话,线密度就趋于0.所以这个问题是不会出现的.
电荷体密度为P,球体积V,半径r,电荷量QQ=P*V=P*(4πr^3)/3
电荷分布的疏密程度可用电荷密度来量度.电荷分布在物体内部时,单位体积内的电量称为体电荷密度;分布在物体表面时,单位面积上的电量称为面电荷密度;分布在线体上时,单位长度上的电量称为线电荷密度.
当rb时,体密度和面密度=0.aP=D-εE.D={4/3*pi*(r^3-a^3)*p}/4*pi*r^2,注意要有方向的,D,E,P都是向量.内表面p=0;外表面p=..就是把b代入体密度,p=p
电位移定义为D=εE+P,其中DEP都是矢量.原始的积分形式是∫(εE+P).dS=Σq,∫在这里表示对封闭曲面求积分,积分号上面本来还有个圈我打不出来.所以有∫D.dS=Σq而且这个式子说明:通过任
用高斯定理做.D*4πr^2=Q*(r^2-R1^2)/(R2^2-R1^2)所以电位移矢量D的大小为:D=Q*(r^2-R1^2)/[(R2^2-R1^2)*4πr^2]方向沿球体的径向,即or方向
D=eE.这里e代表介电常数,是相对介电常数和真空介电常数的积,是个和物质有关的量.所以只要求E就行了.根据高斯定理E=d/(2e0)这里d为电荷面密度,e0为真空介电常数.
P=q/V是指的净电荷的密度,比如一个物体带正电,并不代表它没有负电荷,只是正电荷数大于负点而已.在公式Q=nqSvt中,n指的是自由电荷的密度,单指形成电流定向移动的电荷密度.原来你是啊,熟悉你了,
D是为了更加方便的描述电场而定义的物理量.没有实在的物理意义,是一种数学上的含义.D的通量指的是D对曲面的积分,可以狭隘的理解成D乘以S(面积).所以应该是D对曲面的积分就是面内电荷的总量.你最后说的
初中的时候接第一次接触关于密度的概念,虽然那时把它叫做密度,但全名应该叫做质量密度,即单位体积的质量.对比起来,线电荷密度就是指单位长度带电体的所带的电荷,可以是常量,也可以是变化的量,相应的还有面电
你把电荷想象成一个一个的点,都点在一张纸上,点多了,密度就大.当然电荷的分布不一定是平面的.可以分布在一条线上,或一个立体上.所以就有面密度、线密度、体密度的说法.
电位移线类似于电场线(E线),线上每一点的切线方向表示该点的电位移方向在电场中也可以画出电位移线(D线);由于闭合面的电位移通量等于被包围的自由电荷,所以D线发自正自由电荷止于负自由电荷.
电荷的密度可以用电量除以面积就等于电荷的面密度