模拟电路怎么判断BJT工作在放大区饱和区

(a)三极管截止.将－6V改为+6V即可(b)三极管饱和.将Rb改大为120K左右(c)三极管虽然还在放大区,但接近饱和状态,应加大Rb到100K左右（如果不考虑发射结压降,三极管刚好饱和）再问：请问

NPN:VB>VE,VBVE,VB>VC：发射结正偏,集电结正偏,饱和状态VB

1VC=6VVB=0.7VVE=0V工作在放大区域.发射结正偏,集电结反偏.2VC=6VVB=2VVE=1.3V工作在放大区域.发射结正,集电结反偏.3VC=6VVB=6VVE=5.4V工作在饱和区.

一般硅三极管基射间起始导通电压是0.5V、饱和电压0.7V,题给为Vbe=4-3.6=0.4V,所以应该是截止区.“要是VC=6V,VB=6V,VE=5.4V”,Vbe=6-5.4=0.6V,Vce也

VC是电源,则无集电极电压,不能判断VC是集电极电压Vce,则1、2,工作在线性区；4,工作在截止区；3、5,工作在饱和区,3为浅饱和,5为深饱和；全是NPN三极管.再问：NPN:VB>VE,VBVE

集成运放本身非线性很大,加深度负反馈后线性就得到很好改善.集成运放应用一般都是采用深度负反馈的电路,都可判断为属于线性电路.

为了叙述方便,把C1的左端称为1,接地端称为2,T2基极称为3.C2、C3是交流旁路电容,就认为它对交流信号是短路的.即：T1、T2发射极就是“地”对于T1,输入信号是U12,输出信号是U32,显然他

其实,把电容的所有作用归结到一起,它只有充放电作用.1.隔直通交作用：电容接在直流电路上,只充电一次结束就完了,之后只要直流电压不波动,它就不会再充放电了,即所谓“隔直”作用；而接在交流电路中,由于交

你应该说全面点,你说的应该是NPN管,并且有集电极负载电阻和电源电压是12v.如果是这样的话,答案d才正确!从你给出的条件来看,此三极管满足发射结正偏集电结反偏,满足三极管的放大状态,但是当条件满足时

输出端：反馈电压取自输出电压,是电压反馈；如果 Rf 与 RL 串联就是电流反馈.输入端：反馈信号与输入信号串联相加,并且削弱输入信号,是串联负反馈.电路是电压

因为Re上电压一定Ue=Ie*Re=Ib*p*Re既然Ib=1/p*Ie那么折算到基极R=p*Re其实把电流的变化折算到电阻上再问：非常感谢。①你是从事哪行的？②这是些模电基础知识吗？③应付考试，这些

一。判断对、错、对、错、错、错二。选择ABACEFD三，填空1、无穷大、无穷大、零、无穷大2、负、使其工作在非线性区3、反相4、求和电路和反相比例、求和电路四、计算看不到图。以上答案不能保证完全正确，

FET饱和区是恒流区吧,也叫饱和区,是指Ids的电流达到饱和的区域,此时Ids与Uds无关了,达到了所谓的电流饱和,此区域呈现Ugs与Ids的控制状态.类似三极管的放大区（呈现电流互相控制状态）.其实

模拟电路分析参数中,一个由差分方程所描述的系统在Z平面原点有二阶零点,在实轴1/2,-1/2处各有一阶极点,已知它对cos(nπ)的响应为cos(nπ),求其系统函数H(z)叫Z域,分析的意义就是了解

1.对.引入负反馈只是为了稳定电路.2.错.在电源产生电路中,会用正反馈来产生输入信号,在这种电路中,引入了正反馈和负反馈来产生稳定的正弦波输出,这时集成运放工作在线性区.（希望能解决你的问题,）

看集电结跟发射结是正偏还是反偏再问：有什么区别？再答：三极管在工作时有三种状态，放大，截止，饱和。再答：根据集电结跟发射结的状态可以求出

思路：VBE=VB-VE；VBC=VB-VC；VCE=VC-VE；在三极管正确偏置时,这些差值中,VBE、VCE：>0,为NPN型；

对A1,V+=R7V0/(R7+R6)续断I-=0V01/R2=-(Vi-V-)/R1对A2,VO1/R3=-VO/R4联立3个方程求解V0,Vi表达式

没错,f越小容抗越大.但是频率低到什么程度、而容抗又大到什么程度?这个你自己可以去计算的,公式也很简单嘛,然后再与本级放大电路的输入阻抗相比较（是串联关系）,你就明白为什么此电容的容抗是可以忽略的了；

稳定工作点,提高温度、电源适应性.