某晶体管的极限参数为:Uceo=30

当温度变化时,晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显,实验证明温度每升高1℃,β约增大0.1％左右,VBE减小2～2.5mV；温度每升高10℃,iCBO约

这是放大线路设计公式Rbe是三极管B到E的内阻rbb是三极管基区体电阻RL是负载RC是集电极电阻AV是放大倍数Beta是放大倍数（就是那个和B一样的）Ri输入阻抗Rb是基极串入电阻R0是输出阻抗这个公

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路.用电流、电压的交流分量来表示.即：其中Ib、Ube为晶体管的输入变量,面Ic、Uce为输出变量.方程中的四个系数hie

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（1）这是共集电极放大器,又叫射极输出器.（2）电压增益=(1+β)(5//5)/[rbe+(1+β)(5//5)]=101*(5//5)/[2.5+101*(5//5)=252.5/255=0.99

等于2(sinx)^2看成x^2,然后把分子有理化,分子就是ax^2与分母同约去x^2,剩下的就很简单了

楼上的瞎说了.Microns是微(10^-6)的意思,简写为u,在这里是指微米汞柱umHg.1kPa=7.5mmHg-->10Pa=0.075mmHg=75umHgmbar指的是毫巴,即千分之一bar

Yie：输出端交流短路时的输入导纳；Yfe：输出端交流短路时的正向传输导纳；Yoe：输入端交流短路时的输出导纳；Yre：输入端交流短路时的反向传输导纳.学习下《高频电路》就明白了.

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

对,电子电离后动能为hvo.超过极限频率的入射光频率越高,光子携带的能量就越大,因此被电子吸收后所产生的光电子的最大初动能就越大

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时（由0到正）,因为三极管的放大作用,

原式极限存在,即分子必能分解成(x-2)(x+k)的形式（k为待定系数）所以原式化简为x+k=3(其中x=2)所以k=1即原式分子部分为(x-2)(x+1)=x^2-x-2所以a=-1,b=-2再问：

放大电路,硅管Ube约为0.0.7V,由此可知,该三极管为硅管.且11V端为C极,根据三极管发射结正偏,集电结反偏,NPN型UC>UB>UEPNP相反,故为NPN管

电路的电压放大少不了它.

极限参数决定.当Uce=10V,Ic如果大于10mA,那么Pcm就会大于100mW.第二项超过了极限电流.第三项超过了极限电压.你的明白!

图片看不清,请重新拍摄!再答：b为任意值吧？再问：是已知如图式中极限成立，求a,d,c的值答案是a=1,b=c=1/5再答：是啊，我觉得答案应该是a=1c=1/5b=任意数啊！我觉得答案不对！再答：X

用金属镊子夹住引线,重要的金属镊子,金属的热传导性好,能有效分担烙铁传给晶体管的热量,最大程度降低晶体管的温度.其中,B容易导致焊接不良.C完全不起作用.D效果不会太好,并且也容易引起焊接不良.

你说的是β吧?放大倍数在工作区才有意义,管子的放大能力是有限的,基极电流太大或太小,管子都不会按放大倍数工作即进入截止区或饱和区

这个管子损坏,答案D原因：PNP管子工作在饱和区和线性区时,其发射结电压降Ueb≈0.7V；管子处于截止状态时,Ueb≤0.3V从所给数据判断,此时Ue=6v,Ub=2VUeb=4V远远大于上述两种值

答案为：ACD再问：求思路再答：Pcm=199mW，Icm=20mA，U(BR)(ceo)=15V这三个条件需要同时满足，首先看功耗，四个选项均满足；再看极电流，只有B超出范围，剔除；再看结电压，四个