本征半导体为什么比p型n型电阻大

双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体.P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质,如硅中掺入杂质硼,这样的半导体中多数载流子是空穴；N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质,如硅中掺入杂质磷,这样

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价

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n型半导体就是在单晶硅中掺入5族元素杂质,多子为电子,p型半导体是掺入3族杂质,多子为空穴.更深入的理解是通过改变费米能级使得自由电子或空穴的占有率提升,从而改变半导体导电性能.

1硅或锗晶体本身只电中性的,掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的.原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的,原子核的电量为+3）.所以掺杂后仍然是电中性2掺入入五价元素后形

你看图,在圈里的黑点都是电子,形成了固定的化学键,不能乱动,所以无法作为载流子.白点空穴,就是那个白点没电子,所以白点没有形成固定的化学键,可以移动,作为载流子形成电流.空穴是载流子的时候就是p型半导

要区别N型半导体和P型半导体,方法很多.简单而直接的快速方法就是采用热探针法（由热电动势的符合来判断）；复杂一些的是采用Hall效应测量法（由Hall系数的正负来判断）.

都不是.掺杂之后才能区分N型或P型半导体.在纯硅基础上,掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体.掺杂3价元素比如硼、铝、铟的称为P型半导体

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主”杂质.所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能.例如,半导体锗和硅

晶体管中加入了微量元素,会破坏原晶体内的电位平衡,在晶体内部产生空穴和电子的对流,但是记住,这是在半导体内部产生这种对流,进而产生内电场,生成电位差.但对于整个的晶体来说,中和一个电子必占用一个空穴,

掺入施主杂质（如P、As、Sb）即可变成为N形半导体；掺入受主杂质（如B、Al、Ga、In）即可变成为P形半导体.

假设半导体是硅N型半导体中掺杂的是Ⅵ（5）族元素比如P磷当磷占据一个硅原子的位置时,磷元素外围的5个电子4个形成共价键,还有一个形成自由电子所以N型半导体导电的是电子相反,P型中掺杂3族元素如B硼你可

N型半导体多子为电子,即电子导电,所以要向其中加入五价的元素,例如P、AS、Sb等元素.选A

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.（两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,

本征导电性能最差.N型靠电子导电,P型靠空穴导电（空穴实际不存在的）,电子迁移率比空穴高.

型半导体中空穴导电,空穴带正（Positive）电荷；N型半导体中电子导电,电子带负（Negative）电荷；在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多

N型半导体的载流子是电子,参入的杂质一般是磷；P型半导体的载流子是空穴（就是一个原子失去电子后的状态,但是空穴只是对应电子的一种叫法,并没有空穴）,参入杂质一半是B.相同点就是半导体的那些特点喽

p型半导体中多子为空穴,主要靠空穴导电；n型半导体中的多子为电子,主要靠电子导电；空穴的迁移率比电子的小,所以p型半导体的电导率比n型的小,即P型半导体的电阻率比N型大.

本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.