打你NPN硅管处于放大状态时

饱和状态,看看模电就行

晶体三极管有三种状态：截止、饱和、线性放大,晶体三极管处于纯属放大区时电路才会具有线性放大作用.

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

1.vbe=ub-ue=-0.2V,uc>ue,因此判断为截止状态的npn管；2.vbe=ub-ue=0.74V,vce=uc-ue=0.3V0.7V,再看ce结是否正偏,如果vce大于vbe则肯定处

判定下面三极管的工作状态,均为硅管NPN管：VB=3.7VVC=3.3VVE=3V集电结、发射结均正偏,管子处饱和状态；NPN管：VB=0.7VVC=5VVE=OV集电结反偏、发射结正偏,管子放大状态

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

NPN型管集电极接负极,发射极接正极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为正.硅管约0.6v,锗管约0.2vPNP型管集电极接正极,发射极接负极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为负.硅管约0.6v

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

处于放大状态的三极管发射结正向偏置,集电结一定是反向偏置的

发射结正偏就是:基极电压大于发射极电压集电结反偏是：三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.在放大电路中be结正偏,bc结反偏,三极管工作在放大区,在数字电路中bc结0偏或反偏

.PNP,锗管UA为集电极电压,UB为基极电压,UC为发射极电压,此三极管为pnp形管；UB与UC相差0.2V--锗管;一般pnp三级管发射极接电源正极,集电极接电源负端,基极偏压对集电极也是负端,也

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为