已知图示电路中晶体管的＝100欧姆,Rbe＝1k欧姆-搜答案-搜搜考试网

Rbe也应该为已知.(1)us=ib*Rbe+(β+1)ib*RFu2=βib*（RL//Rc）Au=u2/us=β(RL//Rc)/(Rbe+(β+1)*RF)特别地：当β>>1、Rbe1、Rbe

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.

看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1＋β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.

当Rb2短路时,三极管处于饱和状态,其发射极输出Ue=12V-0.7V=11.3V,集电极输出为Uc=Ue+0.3V=11.6V,相当于一个输入电压为12V但输出电流被限制在2μA以内的的射极跟随器.

a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R

T1是共基、T2共射、T3共集（又称射跟）.

晶体管电路

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

a、管子坏了,基极b与发射极e短路了b、管子坏了,集电极c开路了c、管子没有坏,因为基极b与发射极e之间的电压达到一定的饱和值了,促使集电极c与发射极e导通了.

放大电路,硅管Ube约为0.0.7V,由此可知,该三极管为硅管.且11V端为C极,根据三极管发射结正偏,集电结反偏,NPN型UC>UB>UEPNP相反,故为NPN管

Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K

这不是教科书上的例题吗？不愿意看书？Xl=j10000*10mH=j100欧Xc=-j1/(0.5*uF*10000)=-j200欧电路总阻抗Z=R+Xl+Xc=100-j100=100√2∠45°电

22.6uA1.8mA3V-1671.2千欧5千欧-83.5

答案B11VA点所在支路电流：I1=5*4/(4+2+4)=2A方向向上（电阻并联分流）3欧姆电阻所在支路电流为I2=5-2=3A,方向下（KCL）则3欧姆电阻上端电位为V1=3*3=9V则Us左端电

解答过程如下：点击图片可以查看清晰大图

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

放大倍数不一样偏置电路参数也不一样如果是工作在放大区替换后可能会使模拟失真,如果你是设计电路那就无元所谓,只要你外围元件参数正确就一样能工作!再问：是一个简单的共射极放大电路，不太记得清楚了，是会发生

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问：为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢，还有a图是共射电路吗，不太看懂啊

已知图示电路中晶体管的 ＝100欧姆,Rbe＝1k欧姆