如图所示,磁感应强度为B的匀强磁场的区域边界为直角三角形

再答：再问：小e是啥。。。再答：就是电动势，一般用E表示，但是为了表示电动势是变化的，用e来表示再问：麻烦解释下e=Em*sinω*t中的Emsinω一定会好评的！！再答：再答：再问：辛苦了！

A、由题，带电微粒进入正交的匀强电场和匀强磁场中做匀速圆周运动，电场力与重力必定平衡，则微粒受到的电场力的方向一定竖直向上．故A错误．B、由上则有：mg=qE①由洛伦兹力提供向心力，则有qvB=mv2

考点：磁通量是标量,其正负只是表示了磁场的方向图示位置穿过框架的磁通量为BS,若从图示位置转过90°,则磁场B的方向与S面平行,则穿过框架平面的磁通量为0,而这两次的变化量应为BS-0=BS;若从图示

l;/l;再问：如图所示，在x轴上方有磁感应强度为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场，x轴下方有电场E、方向竖直向下的匀强磁场，现有一质量为m、电量为q的离子从y轴上某一点由静止开始释放，重力忽略不计，为

：（1）＜v0≤（2）解析：（1）若粒子速度为v0,则qv0B=,所以有R=,设圆心在O1处对应圆弧与ab边相切,相应速度为v01,则R1＋R1sinθ=,将R1=代入上式可得,v01=类似地,设圆心

滑块受四个力,重力、垂直斜面向上的支持力、垂直斜面向下的洛伦滋力(开始时没有,因速度为零),沿斜面向上的摩擦力.向下运动,速度增加,洛伦滋力增加,导致支持力增加,从而使摩擦力增加,则加速度减小,最后加

1、弹力在减小,v在增大,所以带正电.2、离开斜面时,N=mgcosθ=Bvq∴v=mgcosθ/Bq3、a=gsinθ∴v²=2ass=.第三问没把握,前两问应该是对的欢迎指正

上下两个过程都是安培力做负功,当然最后的速度要小于刚开始的速度,A错同理上行过程的速度大,电流也就大,B错同样,与下行相比,任何位置上行的速度都大,当然发热量就多,C对,上行合外力安培力加重力下午合外

小球在斜面上受到重力G竖直向下、斜面支持力FN垂直斜面向上,洛伦兹力f垂直斜面向上,当f=Gcosθ时,FN=0,此时小球即将脱离斜面.由f=qvB求得v=f/qB=Gcosθ/qB小球在斜面上下滑的

当然可以用E=n△Φ/△t,只是有时用E=Blv方便而已.再问：�Dz�֪�ɷ��ͷ�����E=n����/��t���ҽ�һ��������أ�����Ļ���������ͣ�������再答：ֻҪ

分析：因为线框总是只有一条边切割磁感线,所以它产生的交流电的电动势最大值是Em＝（Bω*L^2）/2所以在题目条件（转动时间是四分之一周期）下,线框产生的热量是Q＝（E^2/R）*t＝E^2*t/R　

如有疑问,请追问

请把题目补充完整具体是要求什么?根据你现在提供的题意,可以列出2个等式mg=qE（重力平衡电场力）,洛伦兹力提供向心力,F向=(m*v^2)/R=qvB根据我的推测,这道题是不是要求液滴的运动速度大小

qub=mu∧2/r所以u=qubr/m=√3qubr/m

（1）离子在电场中时，水平方向：x=v0t…①竖直方向：L=12•qEm•t2…②联立①②的：x=v02mLqE（2）若离子经O点射入磁场时的速度为2v0，设进入磁场时的速度与x轴方向夹角为θ，则：c

这一题是个两个并联的电源,总电流流进R里.用右手判断ab的电流为顺时针.cd为逆时针.每个电源E=BLv,所以总的电源为2E,为2BLV.所以电流为I=4BLV/3R.所以UR=IR=4BLV/3

此题可等效为一个电动势为2E的电源,其内阻为2r,外部并联两个随时间变化的电阻R1、R2,这两个电阻满足R1+R2=2Ω,R1、R2的取值范围均为0~2Ω.其中E为一根导线转动产生的电动势,容易求得其

(1)E＝U=BLV所以功率P=U^2/R=（B^2L^2V^2）/R(2)电量Q＝It＝(U/R)(S/v)=BLVS/RV=BLS/R

上菁优网,那上有答案再问：我也有答案，但是没解析再答：哪里就有解析