场效应晶体管

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路.用电流、电压的交流分量来表示.即：其中Ib、Ube为晶体管的输入变量,面Ic、Uce为输出变量.方程中的四个系数hie

场效应管VS三极管1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似.2．场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应

应该是晶体管的最大耗散功率.BJT的输出交流功率与其耗散功率成正比,要求耗散功率越大越好.晶体管功率的耗散(消耗)即发热,如果此热量不能及时散发掉,则将使集电结的结温Tj升高,这就限制了输出交流功率的

这是一个P型场效应管,电阻R1的作用是为栅极提供一个管子关断后极间电容放电回路同时牵制栅极电位不会在没有栅极信号的条件下自行导通.R2作用是提供栅极电压的通路.当电阻R2的下端出现一个负的电压,场效应

等效线路是针对交流信号而言,而电源对于交流信号而言是与地通的（即短路）故输入阻抗＝R3＋R1//R2（MOS管输入阻抗高省去）这个等效是电压控制电流源

是场效应管开关时间有关的参数再问：开关比越大则开关时间越短？谢谢！再答：理论上是这样

判断的原则：电流与电压之间有线性关系者,即伏安特性为直线的,就是线性的元器件；否则就是非线性的元器件.例如：电阻：通过的电流与所加的电压成正比,是线性的元件.二极管：通过的正向电流与所加电压之间是指数

这种器件在工作时需要提供静态工作点的电学参数,如果不提供这种电压偏置或电流偏置,器件就不能正常工作.对于这种需要外加电压电流才能正常工作的电子器件,叫有源器件

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

场效应管工作的时候,输入极（栅极）是和衬底绝缘的,没有电流流入,依靠和衬底之间的电压来控制源极-漏极之间的电阻大小.结型场效应管的原理差不多,其工作时候的PN结是反偏的,也没有输入电流.场效应管是电压

应该VoltagevstimedependentcurrentresponseofMOSFEThumidity之后还有吧,是不是还有个sensor啊,MOSFEThumiditysensor才有意义啊

电路的电压放大少不了它.

场效应就是指栅极电压产生的电场通过绝缘体层（氧化层或者耗尽层）作用于半导体表面而控制输出电流的一种作用,所以MOSFET和JFET都是场效应晶体管.他们又都是单级型晶体管,因为沟道导电的载流子是一种—

晶体管晶体管（transistor计：MOStransistor;npn化：transistor）【简介】晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信

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它具有把所收电波加以区分的检波功能和增强微弱电波的放大功能.初期,这两种功能几乎都是由真空管来完成的.

这要看具体型号的.但目前大多数情况下的管脚排列都是一致的,只有个别型号不同.大多数管脚排列是这样的：带字的一面面对自己,从左到右依次为：G极（栅极）,D极（漏极）,S极（源极）.

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.

不知道你需要什么样程度的书.可以参看《晶体管原理》第2版,这个书讲的理论比较多,适合深度的学习.如果不要那么深入可以参看《电工学》第六版下册,有这几方面内容的介绍.对于这些个管子所组成的电路可以参看《