在P型半导体中,其多数载流子是 ,少数载流子是
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/04 05:20:15
CBBBABBACAAA再问:一共13体
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是
1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.(x)2、用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电极是二极管的正极.(y)3、发射结处于正偏的BJT
N型半导体的多数载流子是电子.
__n___型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是_____D_____,主要特性是__单向导电性_.
选择题:1B2D3D4C5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值(Ic=Ib×β)6C7B8D9B10C填空题1(1)差模(2)共模输入(3)差模输入(4)共模输入2(5)放大(6)截止(7)饱和(补充
空穴呗正负粒子貌似是堆在壁垒区的吧
载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度;载流子空穴的浓度主要取决于电压?(这个不太拿得准)
这个问题是固体物理中的一个基本概念问题.有效质量只有在能带顶附近处才是负的,而能带顶正好对应于Brilouin区边缘,因此有效质量在Brilouin区边缘处为负.当电子在外力作用下运动时,电子的动量增
先画一幅图,典型的PN结的,电子与空穴图,左边N型区,右边P型区,中间是耗尽层,先搞明白了它们的运动关系,再闭上眼就会很容易想象到了
P型半导体整体显电中性你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的(即这些空穴脱离了碰原子的束缚
AA半导体不带电啊,载流子只是说明这种材料导电是流动的粒子
固体半导体中可以移动的载流子,实际上只有电子.电子分:在导带中的电子,和价带中的电子.由于两种电子的迁移率不同,造成它们导电性的不同.为分析方便,称导带中的电子为“电子”,而价带中的电子为“空穴”,并
完全正确.
本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.
问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方:以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子
这是半导体物理中的一个重要而具有深刻物理意义的问题.首先要弄清楚,半导体晶体中的载流子不一定会遭受散射,因为排列很规则的晶体原子并不散射载流子,这些原子只决定晶体电子的状态——能带.其次,之所以载流子
半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定(迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s);半导体中的载流子一般