双极型晶体管工作于其输出特性曲线的饱和区时,则集电极电流( )b倍的基极电流-搜答案-搜搜考试网

图呢.

输入级：差分放大电路.增大输入电阻,抑制温漂,提高对共模信号的抑制能力.输出级：互补或准互补放大电路,减少输出电阻,提高电路携带负载能力.中间级：共射放大电路.提高电路放大能力.

（1）ηC=60%时,PD=Po/ηC=100W\x05\x05PC=PD-Po=40W,IC0=PD/VCC=8A（2）ηC=80%时,PD1=Po/ηC=75W\x05\x05PC1=PD1-Po

放大、振荡、开关三种状态.

因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,则很小的集电结电压变化即可引起很大的集电极电流变化.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

Rc越大,电压放大倍数越大、输入电阻不受影响、输出电阻越大.Ri越大,电压放大倍数越小、输入电阻越小、输出电阻不受影响.静态工作点中电流越大,电压放大倍数越大、输入电阻越小、输出电阻不受影响.但静态工

二极管具有单向导电特性稳压二极管工作在反向击穿状态

静态工作点是为了使晶体管在小信号放大时不失真；交流参数没有影响.Rc,Rl对放大器输入电阻没有影响,输入电阻主要有晶体管be结电阻rbe组成.一般,Rc,Rl越大,放大倍数越大；Rc越大,输出电阻越大

因为UO=-CUi/Cx=-UCd/εA,运算放大器的放大倍数A、输入阻抗Zi足够大的情况下,输出电压与板间距离d是线性关系；再问：麻烦你把公式中的字母所表示的中文意思告诉我，大致的原因我清楚，就是没

晶体管截止时,Vc-Ve的值也是大于0.7V啊!1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲：基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电

第一个工作在放大区第二个是饱和第三个截止,也可能是烧坏了,要看数据手册,发射结可能被击穿,要是不考虑器件损坏的话,最后一个是截止区

a、管子坏了,基极b与发射极e短路了b、管子坏了,集电极c开路了c、管子没有坏,因为基极b与发射极e之间的电压达到一定的饱和值了,促使集电极c与发射极e导通了.

分析：图中的三极管属于PNP管,从数据看,基极电位异常（正常时它的电位应是居中,不是最低）.三极管be电压是0.3V（应是锗管）,而ce电压只有0.2V,所以判断此管似乎损坏了.再问：那前面的负号对判

c=λfc：光速(这是一个常量,约等于3×10^8m/s)单位：m/sf：频率(单位：Hz,1MHz=1000kHz=1×10^6Hz)λ：波长（单位：m）波长与光子能量成反比关系,当波长越短光子能量

晶体三极管输入特性曲线在工程上计算直流阻抗意义不大,即不到导通点电流很小过了该点上升非常之快,交流阻抗26/ie(mv、ma)×β再问：那它的规律是什么？再答：我全说了啊不知您指的规律是什么？再加上一

就是普通二极管啊,利用正向导通后工作的.

这个管子损坏,答案D原因：PNP管子工作在饱和区和线性区时,其发射结电压降Ueb≈0.7V；管子处于截止状态时,Ueb≤0.3V从所给数据判断,此时Ue=6v,Ub=2VUeb=4V远远大于上述两种值

晶体三极管工作再放大状态的条件是：集电节正偏,发射结反偏.想要最大功率输入就得提供最大的能源给三极管.当然要在电路所能承受的范围内.

当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,

放大区,饱和区,截止区,可以用作放大元件,或是开关类元件