单片机内存计算

51单片机驱动三极管时,三极管处于开关状态,基极电阻有很宽的取值范围,一般取常用电阻,如1k、3.3k、4.7k等均可.

AD转换是把连续量的模拟量转换为不连续的数字量,数字量的位数直接表达了取样时的精度,严格说只能是接近实际数的一个近似数,当然是位数越多精度越高,好比一把普通尺和一把千分尺,你说哪个精度高?两者的计算关

不可能的,是不是你的编译有错的啊我改的晶振12M,在KEIL 4.0 里面编译的,为你得出的结果最大也就是40ms,这是软件的原因,不可能出现100ms那么大的差距,是你的软件的原

((250*2+3)*200+3)*20+3再问：晶振是11.0592MHZ的是2us吗，我看别人的12MHZ好像也是2us再答：12MHZ是1微妙

1g=1024mb再答：流量内存都是

现在的单通道内存控制器一般都是64bit的,8个2进制bit相当于1个字节,换算成字节是64/8=8,再乘以内存的运行频率,如果是ddr内存就要再乘以2,因为它是以sd内存双倍的速度传输数据的,所以d

没有什么公式,都是经验值,一般单片机电源是5V,P口输入电流不超过额定输入电流就成,上拉电阻10K左右就行,电流才0.5mA.51单片机不用接上拉电阻都可以,P口出来,接键盘,再接地就行,检测到低电平

一楼错在时钟周期和频率的关系没弄对；二楼错在内循环没算DJNZ的两个周期1）首先要知道单片机时钟晶振频率为多少?设fosc=6MHz.2）时钟周期T是计算机基本时间单位,同单片机使用的晶振频率有关.那

单片口的话电路叠加定理和诺顿定理就可以求出了将VCC和上拉电阻看成恒流输出,上拉电流就是VCC/R了实际的选择还要考虑器件拉入电流的能力数电书上有讲,不过是对OD和OC上拉电阻的计算转：计算原则：(下

通过电路把电压,调整到参考电压的一半,在整体偏移参考电压的一半接下来就是采样周期的,数据点数目了AD转化值在0-255,对应的电压是0-参考电压,换算出实际电压.计算电压有效值的就是计时最高电压乘以根

在交流电路中,电压与电流之间的相位差(Φ)的余弦叫做功率因数,用符号cosΦ表示,在数值上,功率因数是有功功率和视在功率的比值,即cosΦ=P/S功率因数的测量一般都要对被测电路的电压、电流进行采样,

AD的采样总时间为采集时间+转换时间：每位的A/D 转换时间定义为TAD.最小采集时间TACQ为1.4us,但与你在ADCON2中的ACQT2:ACQT0有关：ACQT2:ACQT0111&

定时时间=（2^N-初值）*机器周期；N=定时器位数,如果把初值换成当前计数值,也可以知道后面定时还剩多少时间.不过要取出当前计数值不太容易,而且误差很大.

看你用的是PIC那个系列的单片机了.PIC12、PIC16、PIC18、pic24等系列的单片机基本上都是10位精度的AD,而dsPIC30/33系列单片机有12位精度的AD.在这只说10位精度的AD

DELAY:MOVR3,#20;2s=100mS*20D1:MOVR4,#200;500*200=100mSD2:MOVR5,#230;2.17*230=500uSDJNZR5,$

计算延时时间应注意以下几点：1、晶振跑多少的,象这里的6M的话,那么它执行的机器周期就是2us,2、看指令执行要多少个机器周期,向DJNZ、RET都要两个机器周期,3、那么,这里总共时间是26（1A）

先估算保险丝电流,灯泡满功率时是48Ω串联100Ω电阻,也就是说36v时灯泡满负荷,电流约0.25A,保险取0.5A即可,主要是防止VD1或C1短路电感选择3~5倍L,L=R/2πf或者L=R

回答者：咴忻-魔法师四级1-2013:021KB=1024B1MB=1024KB1GB=1024MB顺便告诉你：GB后面还有1TB=1024GB1PB=1024TB1EB=1024PB1ZB=1024

你应该及时打上系统补丁.再装个杀毒软件和防火墙.时时升级!内存溢出可能是病毒作怪,也有可能是程序错误.让系统“飞”起来读懂电脑虚拟内存常遇问题内存在计算机中的作用很大,电脑中所有运行的程序都需要经过内

想要汇编语言的话说一下.不过好久已经不用汇编了,结果放在51H单元内main(){chari;char*p;charx=0;p=0x40;for(i=0;i