半导体材料霍尔系数的测量为什么有剩磁
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/27 17:05:19
如果液体粘度系数较小,则球的稳定速度将会比较大,这意味着在达到稳定速度之前,球将会运动比较大的距离,在实验中你可以知道,液体的长度是有限的,所以就压缩了你的测量距离,导致实验精度不准确.其次,如果小球
霍尔电压一般与两个工作电流有关,一个是霍尔器件的输入电流,另一个就是产生磁场的电磁铁的输入电流,分别做出这两个电流与霍尔电压关系图,大体上是一条直线,然后去图像上的两个点,求这两点连线的斜率,多求几组
可以测量,只要知道磁场强度多大就可以再问:如果不知道磁场强度?不能测量的原因是什么?再答:能不能测量,你用几个参数就可以判断:1,霍尔器件的感应电压是否与磁场强度呈现线性或可以用一个曲线描述,可重复的
这是因为温差电效应和热磁效应以及热磁效应产生的温差引起的附加电压差电现象thermoelectricphenomena导体中发生的热能和电能间的可逆转换现象.导体中的几种温差电现象①珀耳帖效应.当外加
那要根据你产品的类型来分,一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级.工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑
半导体的Hall效应要比金属的强得多;薄片的Hall效应得到增强.参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
RH=1/nq
霍尔系数单位米的三次方每库仑,由半导体性质决定.电导率单位西门子每米.才做了“霍尔元件测磁场”的实验.
霍尔片接线处并非完整对称,靠测量时正负电压共用消除.材质不纯无法消除测量仪器问题无法消除载流子非轴线方向运动产生的影响无法消除
米的三次方每库仑
量子霍尔效应:U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值;那么首先我们考虑R-B
设:d为薄片厚度,k为霍尔系数,a为极板长度,Bqv=Uq/aI=nqdavU=BI/nqd=kBI/d所以,k=1/nq
确实霍尔元件都用半导体材料制成而且一般都为n型半导体载流子为导带电子,与金属材料的导电粒子为自由电子,似乎一样.但是你知道,金属在外电场作用下,抵抗电场的只是其表面聚集大量的电子,从而形成反向电场,与
首先要学会根据电流和磁场判断电场力的方向,电场力的方向即半导体中载流子的受力方向(即判断出n型半导体的电子聚集到哪里,或p型半导体的空穴聚集到哪里).对这两种半导体来说,同样的电流和磁场,电场力方向是
热敏电阻是指电阻值随温度变化而变化的敏感元件.在工作温度范围内,电阻值随温度上升而增加的是正温度系数(PTC)热敏电阻器;电阻值随温度上升而减小的是负温度系数(NTC)热敏电热敏电阻器阻器.图中为四种
用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧,此时为P型半导体,空穴型.若方向正好相反,则为N型半导体,也是电子型.
霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电势,其大小可表
通过霍尔效应测量的霍尔系数,可确定半导体的导电类型、载流子浓度及迁移率等重要参数.
Is是给霍尔元件提供的工作电流,根据公式U=BI/ned(B是磁场强度,I就是Is,n是载流子浓度,d是厚度,U为霍尔电压).应该是通过U来计算B的吧.
查PDF,然后找到它的额定磁场,如500Gs,那就给它加500Gs磁场,给1脚和3脚加恒定电压或电流,测量2脚和4脚输出的差分电压就行了