下列关于CMOS和TTL电路说法错误的是

内部都是基本门电路.门电路是有集成制造的场效应管（CMOS门电路）、三极管（TTL）、电阻、二极管构成.内部三极管、场效应管都工作在开关状态.由于各种门电路、厂家工艺等原因,内部电路不完全相同,所以原

COMS电路输入端是场效应管,他的输入阻抗相当大,如果输入开路机会感应很高的电压将管子击穿.TTL电路内部是普通的PN结做的,他的输入阻抗较小,如串大电阻输入信号就不够

TTL是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的TTL信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样.所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平

1错误：coms的功耗小,ttl的速度快但是功耗大；2正确：oc门与od门的主要特点相同,它们都可以提高负载能力；3错误：寄存器、计数器与电路本身前一状态有关,即与时间有关系,肯定是时序电路的；而编码

1.错误2.正确3.错误4.错误5.正确6.正确7.错误8.正确9.正确10.错误11.错误12.正确13.正确14.正确15.有歧异正确16.错误17.正确18.正确19.错误20.正确

TTL门电路的输入端悬空时相当于高电平输入输入端接有电阻时其电阻阻值大于1.4K时该端也相当于高电平电阻值小于0.8K时该端才是低电平.而CMOS逻辑门电路输入端不管是接大电阻还是接小电阻该端都相当于

去网上下本74系列或CD4000系列手册看看好了,非常好下.你说的问题实在内容太多,还是自己解决的好啊

从输入特性来看,ttl门电路的输入偏置电流更大,噪声更小,但是对于ttl信号开说,这些都不重要,

measabbr.(=measurable,measure)v.测量,量MEAs:MultilateralEnvironmentalAgreements中文全称:多边环境协定MEAS:MissionE

选B.CMOS通常是指主板上一块可读写的存储芯片,它用于存储计算机的时钟信息和硬件配置信息等内容BIOS芯片是主板上一块长方型或正方型芯片,BIOS中主要存放：自诊断程序/（加电自检程序）：通过读取C

直接选用集电极开路（OC）输出的TTL器件,输出端接上拉电阻到CMOS电源为好.如图电路不必认真计算：Rb=5KΩ,Ic=Vdd/Rc=2~3mA即可.

TTL数字电路有八个系列：标准TTL、高速HTTL、低功耗LTTL、肖特基STTL、低功耗肖特基LSTTL、先进肖特基ASTTL、快速肖特基FAST；CMOS数字电路有五个系列：4000、高速HC、高

好像是TTL电路的输出电流可以驱动CMOS电路,而CMOS电路是低功耗的输出电流比较低带不起TTL电路不一定对只是起参考作用

提问的网友需要注意的是,这部分电路是从整个电路中抽出来的,只要一个5V电源供电就可以,其他加的都是信号电压.当提到V1处给高电平时你可以视作V1处接了一个5V电压,低电平时可视作V1接地（或接0.3V

t指女同性恋中强势的一方,ttl指两者都是t,ttlove.419是因为谐音,fouronenine（谐night）,中文就是一夜情的意思.更广泛的意思就是做一次爱.419在花火的小说《深海里的星星》

CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V）,TTL只能在5V下工作CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差CMOS功耗很

功耗TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大

这是个与非门电路.T1有三个发射极：A、B、C,其中只要有一个发射极低电位T1就导通,T1导通时C1为低电位；这时T2截止、T5也截止（T5是依靠R3上的电压来控制导通和截止的）；由于T2截止,C2处

1组合逻辑电路和存储电路2CMOS电路3只读随机4与或非5Qn+1=DQn+1=JQ'n+K'QnQn+1=Q'n6101000010000071711

一般来说CMOS电源用VDD和VSS来表示,一般范围是3到15V之间,TTL电源采用VCC和VEE(GND)来表示,他的电源是固定的5V,所以在数字电路中有时会有TTL电平的说法,也就是高电平+5V,